TQ2440的nandflash(k9f2g08u0b)的读写地址问题？

void __write_address_nand(uint32_t addr)
{
pg_nand_reg->NFADDR = (uint8_t)((addr) & 0xff);
pg_nand_reg->NFADDR = (uint8_t)((addr>>8) & 0x7);
pg_nand_reg->NFADDR = (uint8_t)((addr>>11) & 0xff);
pg_nand_reg->NFADDR = (uint8_t)((addr>>19) & 0xff);
pg_nand_reg->NFADDR = (uint8_t)((addr>>27) & 0xff);
}
按照手册的地址分为五周期,应该是：
void __write_address_nand(uint32_t addr)
{
pg_nand_reg->NFADDR = (uint8_t)((addr) & 0xff);
pg_nand_reg->NFADDR = (uint8_t)((addr>>8) & 0x7);
pg_nand_reg->NFADDR = (uint8_t)((addr>>12) & 0xff);
pg_nand_reg->NFADDR = (uint8_t)((addr>>20) & 0xff);
pg_nand_reg->NFADDR = (uint8_t)((addr>>28) & 0xff);
}
我试了，发现的确应该是最上面正确，但我哪里理解错了吗？
还有下面的一段也能在板子上正确裸跑（改自韦东山的代码）
col = addr & 2047;
page = addr / 2048;

*p = col & 0xff;   
for(i=0; i<10; i++);  
*p = (col >> 8) & 0x0f;  
for(i=0; i<10; i++);
*p = page & 0xff;   
for(i=0; i<10; i++);
*p = (page >> 8) & 0xff;
for(i=0; i<10; i++);
*p = (page >> 16) & 0x03;
for(i=0; i<10; i++);
这是为什么啊，能详细的讲讲吗、谢谢啦。

亲们，有遇到过的吗？？很郁闷啊 》》》》》。

手册上column address是比较容易误导人啊，估计你这个理解错了。
1个大页有2048Byte数据区，那么应该是2的11次方，那么column addr应该是bit0~bit10.
1个大页还有64Byte的OBB区，它同样属于这个大页，芯片将它跟前面的数据区进行了统一的编址。
那么要想访问OBB区则需要再多1根地址线，虽然它是严重的浪费了。
即column地址占了12位，bit0~11。

韦老师的代码里，应该是想把nand当做一块内存来读/写，代码里的地址对应的只是数据区，而不包含OBB区。

再算一下ROW addr，有17位，2^17=131072 = 128K
128K * 2K(数据区) = 256M。

一般OBB区不用作写数据，其中可以存放一些校验数据或者坏块标记之类的。

zyp568 发表于 2012-9-11 13:33
手册上column address是比较容易误导人啊，估计你这个理解错了。
1个大页有2048Byte数据区，那么应该是2的 ...

早就明白了，但还是要谢谢啦。。。

太感谢你了  我也遇到这样的问题 不过按照你的方法已经解决了  呵呵